СибНСХБ

Вид поиска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД

Формат представления найденных документов:
библиографическое описание	краткий	полный

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>S=ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ<.>)

Общее количество найденных документов : 539
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.02-04А4.189

Huyskens, D.
Midplane dose determination using in vivo dose measurements in combination with portal imaging [Text] / D. Huyskens, Dam J. Van, A. Dutreix // Phys. Med. and Biol. - 1994. - Vol. 39, N 7. - P1089-1101 . - ISSN 0031-9155
Перевод заглавия: Определение дозы в срединной плоскости с использованием in vivo дозных измерений в сочетании с портальным изображением
Аннотация: Описан алгоритм контрольного определения поглощенной дозы (ПД) в срединной плоскости облучаемого тела по данным измерений на входе и на выходе пучка из тела с помощью полупроводниковых детекторов и портальных фотопленок. Отклонения расчетных данных от измерений ионизационной камерой составляют 'ЭКВИВ'1% на оси пучка (в мишени) и 'ЭКВИВ'3% вне оси (в гетерогенностях). Эти результаты получены при Обл фантомов пучками тормозного излучения с макс. энергией 6 МэВ. Бельгия, Dep. of Radioth. Univ. Hosp. St. Rafael, Leuven. Ил. 3. Табл. 2. Библ. 18.

ГРНТИ	34.49.29

ВИНИТИ 341.49.29.11.15
Рубрики: ПЛАНИРОВАНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ
СЕРЕДИННАЯ ПЛОСКОСТЬ
ПОРТАЛЬНАЯ ВИЗУАЛИЗАЦИЯ
ФОТОПЛЕНКИ
ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ОЦЕНКА ТОЧНОСТИ

Доп.точки доступа:
Van, Dam J.; Dutreix, A.

Заявка 2689684 Франция, МКИ H 01 L 27/146.

Cuzin, Marc.
Dispositif de micro-imagerie de rayonnements ionisants [Текст] / Marc Cuzin, Pierre Jeuch. - № 9203957 ; Заявл. 01.04.1992 ; Опубл. 08.10.1993
Перевод заглавия: Устройство для получения микроизображения с помощью ионизирующего излучения
Аннотация: Патент на устр-во, представляющее собой твердотельный позиционно-чувствительный детектор рентгеновского или 'гамма'-излучения в виде пластины (П) из полупроводникового материала (Si, As, Ga), центральная часть к-рой является зоной детектирования излучения, а периферийная - зоной считывания (прибор с зарядовой связью). Толщина П 100-400 мкм. На противоположных плоскостях П имеются 2 набора параллельных взаимоперпендикулярных между собой проводников шириной по 0,2-15 мкм для сбора зарядов, возникающих под воздействием излучения. Зона детектирования размером 300* 300 мкм{2} обеспечивает получение изображения форматом 500*500 элементов. Используется известный метод Anger для определения местонахождения точки взаимодействия кванта излучения с П, основанный на расчете центра тяжести возникающего заряда. Считывание зарядов производится интегральными усилителями, расположенными в зоне считывания.

ГРНТИ	34.49.33

ВИНИТИ 341.49.33.13.15
Рубрики: РЕНТГЕНОВСКИЕ ИЗОБРАЖЕНИЯ
ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПОЗИЦИОННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ
ПРИБОРЫ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ
КОНСТРУКЦИЯ
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Доп.точки доступа:
Jeuch, Pierre
Свободных экз. нет

Патент 5248885 Соединенные Штаты Америки, МКИ G 01 T 1/24.

Sato, Kenji.
Radiation detector having means for exciting trapped carriers [Текст] / Kenji Sato, Toshiyuki Sato ; Shimadzu Corp. - № 751888 ; Заявл. 29.08.1991 ; Опубл. 28.09.1993 ; Приор. 30.08.1990, № 2-229867 (Япония)
Перевод заглавия: Детектор излучения со средствами возбуждения захваченных носителей
Аннотация: Полупроводниковые кристаллы детекторов (Д) рентгеновского излучения большой мощности дозы, напр., GaAs, CdTe, HgI[2], неизбежно имеют механические дефекты, служащие центрами захвата носителей заряда, возникающих при Обл кристалла. Захват носителей снижает чувствительность Д. С целью повышения чувствительности Д предлагается прогревать его любым известным способом, напр., резистивным нагревом, Обл инфракрасным светом или нагревом электромагнитным излучением. Один из вариантов изобретения: наносить на одну сторону изоляционной подложки кристалл Д, а на другую сторону - пленку нихрома, нагреваемую электрическим током.

ГРНТИ	34.49.33

ВИНИТИ 341.49.33.13.15
Рубрики: ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПОВЫШЕНИЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ
ЗАХВАЧЕННЫЕ НОСИТЕЛИ
ВОЗБУЖДЕНИЕ
НАГРЕВАНИЕ

Доп.точки доступа:
Sato, Toshiyuki; Shimadzu Corp.
Свободных экз. нет

Патент 5245191 Соединенные Штаты Америки, МКИ G 01 T 1/161.

Semiconductor sensor for gamma-ray tomographic imaging system [Текст] / Herbert B. Barber [и др.] ; The Board of Regents of the University of Arizona. - № 868181 ; Заявл. 14.04.1992 ; Опубл. 14.09.1993
Перевод заглавия: Полупроводниковый детектор гамма-излучения для томографических визуализирующих систем
Аннотация: Патент на устройство чувствительного элемента (ЧЭ) на основе полупроводникового детектора для регистрации фотонного излучения при ЭКТ. Цель изобретения - обеспечение высокого пространственного разрешения без перекрывания полей чувствительности ЧЭ, соединенных в детекторную сборку. Устройство содержит пластину полупроводникового материала, разделенную на совокупность квадратных клеток размерами - 1*1 мм, каждая из к-рых представляет собой соединенный с мультиплексором ЧЭ. Высокое пространственное разрешение системы позволяет уменьшить расстояние объект - ЧЭ и тем самым избежать перекрывания полей чувствительности ЧЭ без снижения общей чувствительности детекторной сборки.

ГРНТИ	34.49.33

ВИНИТИ 341.49.33.15.02
Рубрики: ЭКТ-ГРАФЫ
ДЕТЕКТОРНЫЕ СБОРКИ
ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПОЗИЦИОННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ
КОНСТРУКЦИЯ
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Доп.точки доступа:
Barber, Herbert B.; Barrett, Harrison H.; Dereniak, Eustace L.; Rogulski, Michel M.; The Board of Regents of the University of Arizona
Свободных экз. нет

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.04-04А4.129

Long term reverse annealing in silicon detectors [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30 - Nov. 6, 1993 / T. Schulz [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4. - P791-795 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Долговременный обратимый отжиг кремниевых детекторов
Аннотация: Экспериментально исследованы методы изотермического и изохронного отжига поверхностно-барьерных детекторов нейтронов, используемые для эффективного регулирования конц-ий различных примесей в материале детектора. Показано, что процесс отжига не м. б. описан простой моноэкспонентой, поскольку необходимо учитывать влияние и процессов 2-го порядка. Предложена математическая модель, позволяющая определять зависимость конц-ии примеси от флюенса нейтронов, времени и т-ры. На основе модели лишь с 3 регулируемыми параметрами оптимизированы оптимальные показатели отжига материала в широких диапазонах флюенса нейтронов и т-ры. Германия, Inst. fur Experimentalphysik, Univ. Hamburg. Ил. 7. Табл. 1. Библ. 7.

ГРНТИ	34.49.29

ВИНИТИ 341.49.29.05.17
Рубрики: ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
КРЕМНИЕВЫЕ ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫЕ
ДОЛГОВРЕМЕННЫЙ ОБРАТИМЫЙ ОТЖИГ
ОПТИМИЗАЦИЯ РЕЖИМА
НЕЙТРОНЫ

Доп.точки доступа:
Schulz, T.; Feick, H.; Fretwurst, E.; Lindstrom, G.; Moll, M.; Mahlmann, K.H.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.04-04А4.130

Punch-through characteristics of FOXFET biased detectors [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30-Nov. 6, 1993 / N. Bacchetta [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4 Pt 1. - P804-810 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Характеристики смыкания [2 переходов] детекторов FOXFET со смещением
Аннотация: Детекторы указанного типа в виде микрополосных поликремниевых резисторов перспективы для использования на высокомощных ускорителях благодаря своей высокой радиационной стойкости. Однако явление смыкания 2 p-n-переходов может влиять на характеристики детектора как паразитный эффект. С целью оценки этого влияния исследована зависимость механизма проводимости при смыкании от толщины слоя детектора, т-ры, окружающей среды и уровня радиационных повреждений. Показано, что основную роль здесь играет динамическое сопротивление и его зависимость от тока возбуждения. Проанализирована также частотная зависимость выходного импеданса в режиме смыкания вплоть до частот- 1 МГц. Италия, INFN, Sezione di Padova, via Marzolo 8, 35131 Padova. Ил. 13. Библ. 11.

ГРНТИ	34.49.29

ВИНИТИ 341.49.29.05.17
Рубрики: ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
МИКРОПОЛОСНЫЕ ПОЛИКРЕМНИЕВЫЕ
ЭФФЕКТ ПЕРЕХОДНОГО СМЫКАНИЯ
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ
НЕЙТРОНЫ

Доп.точки доступа:
Bacchetta, N.; Bisello, D.; Da, Ros R.; Giraldo, A.; Gotra, Yu.; Paccagnella, A.; Verzellesi, G.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.04-04А4.146

New results with semiconductor drift chambers for X-ray spectroscopy [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30- Nov. 6, 1993 / P. Jalas [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4. - P1048-1053 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Новые результаты с полупроводниковыми дрейфовыми камерами для спектрометрии рентгеновского излучения
Аннотация: Подчеркивается перспективность использования компактных дрейфовых камер с комбинированными кремниевыми детекторами для спектрометрии низкоэнергетического фотонного излучения. При комнатной т-ре они позволяют обеспечить удовлетворительный компромисс между энергетическим разрешением и размерами активной площади, к-рые ограничиваются современной технологией изготовления детекторов, а при охлаждении - повысить эти размеры без снижения разрешения. Проведены исследования по оптимизации соединений FET-детекторов и снижению их тока утечки как функции т-ры и размеров активной площади. Обсуждаются физические факторы, влияющие на величину отношения сигнал/шум. США, Brookhaven Nat. Lab., Upton, NY 11973. Ил. 5. Библ. 10.

ГРНТИ	34.49.31

ВИНИТИ 341.49.31.15
Рубрики: ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
КОМБИНИРОВАННЫЕ
ДРЕЙФОВЫЕ КАМЕРЫ
ОПТИМИЗАЦИЯ РЕЖИМОВ
СПЕКТРОМЕТРИЯ
НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ РЕНТГЕНОВСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ

Доп.точки доступа:
Jalas, P.; Niemela, A.; Chen, W.; Rehak, P.; Castoldi, A.; Longoni, A.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.04-04А4.148

Characterization of new a-Si:H detectors fabricated from amorphous silicon deposited at high rate by helium enhanced PECVD [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30-Nov. 6, 1993 / T. Pochet [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4. - P1014-1018 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Изучение характеристик новых детекторов a-Si:H, изготовляемых с высокой скоростью из аморфного кремния в атмосфере гелия методом PECVD
Аннотация: Предложена новая технология экспрессного изготовления тонкопленочных полупроводниковых детекторов (ТПД) типа а-Si:Н, основанная на плазменно-химическом напылении (PECVD) р-ра SiH[4] в гелиевой атмосфере. ТПД подобного типа используются для регистрации фотонного излучения в виде комбинации р-i-n-фотодиода со сцинтиллятором CsI:Tl. Метод напыления позволяет в 'ЭКВИВ'10 раз увеличить скорость формирования чувствительного объема ТПД - до 5,5 мкм/ч. Экспериментально исследованы физико-технические характеристики ТПД, в т. ч. напряжение смещения, плотность остаточного объемного заряда, эффективность сбора электрических зарядов. Установлена высокая чувствительность ТПД к 'альфа'-излучению с энергией 5,5 МэВ. Франция, LETI DEIN/SPE, Cent. d'Etudes Nucl. de Saclay, 91191 Gif-sur-Yvette Cedex. Ил. 6. Табл. 5. Библ. 13.

ГРНТИ	34.49.31

ВИНИТИ 341.49.31.15
Рубрики: ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
АМОРФНЫЙ КРЕМНИЙ
НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ФОТОНЫ
ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
МЕТОД ПЛАЗМЕННО-ХИМИЧЕСКОГО НАПЫЛЕНИЯ
ГЕЛИЕВАЯ АТМОСФЕРА

Доп.точки доступа:
Pochet, T.; Ilie, A.; Foulon, F.; Equer, B.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.04-04А4.149

New, high performance nuclear spectroscopy system using Si-PIN diodes and CdTe detectors [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30-Nov. 6, 1993 / J. Pantazis [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4. - P1004-1008 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Новая система для ядерной спектроскопии высокого разрешения на основе кремниевых p-i-n-диодов и детекторов CdTe
Аннотация: Описаны конструкция, физико-технические характеристики и методика использования портативного спектрометра рентгеновского и 'гамма'-излучения с высоким энергетическим разрешением в широком диапазоне энергий. Спектрометр содержит детекторы 2 типов: охлаждаемый до -30'ГРАДУС' С кремниевый фотодиод структуры p-i-n для регистрации фотонов с энергией 2-30 кэВ и полупроводниковый детектор CdTe для энергий 20 кэВ-1 МэВ, к-рый может - работать как при охлаждении, так и при комнатной т-ре. Оба детектора находятся в оптическом контакте с малогабаритным фотоумножителем, находящемся в компактном термоэлектрическом охладителе с целью снижения темнового тока. Конструкция обеспечивает получение энергетического разрешения на фотодиоде 600 эВ FWHM при энергии фотонов 5,9 кЭв и 1,3 кэВ FWHM для 60 кэВ на детекторе CdTe. США, АМРТЕК, Inc., 6 de Angelo Dr., Bedford, MA 01730. Ил. 9. Библ. 6.

ГРНТИ	34.49.31

ВИНИТИ 341.49.31.15
Рубрики: СПЕКТРОМЕТРЫ
ФОТОНЫ
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ
ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ

Доп.точки доступа:
Pantazis, J.; Huber, A.; Okun, P.; Squillante, M.R.; Waer, P.; Entine, G.

10.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.04-04А4.150

Niemela, A.
Evaluation of CdZnTe detectors for soft X-ray applications [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30-Nov. 6, 1993 / A. Niemela, H. Sipila // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4. - P1054-1057 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Оценка детекторов на основе CdZnTe для регистрации низкоэнергетического рентгеновского излучения
Аннотация: Экспериментально исследованы физико-технические характеристики полупроводниковых детекторов на основе CdZnTe, к-рые, согласно литературным данным, обладают высокой чувствительностью к низкоэнергетическому рентгеновскому излучению при комнатной т-ре. Показано, что при охлаждении кристаллов Cd[0] [8]Zn[0] [2]Te до т-ры 30'ГРАДУС' С ток утечки снижается до нескольких пА, что позволяет использовать низкошумовую оптическую обратную связь вместо резисторного предусилителя с более высоким уровнем шума. Это, в свою очередь, дает возможность получить оптимальное энергетическое разрешение, к-рое составляет 240 эВ FWHM для пика 5,9 кэВ источника {5}{5}Fe при т-ре -40'ГРАДУС' С и 282 эВ - при т-ре -30'ГРАДУС' С с расчетным значением фактора Фано 0,14, тогда как для Si и Ge оно достигает только 0,11. Охлаждение до указанного диапазона т-ры обеспечивается элементами Пельтье низкой мощности. Финляндия, Riihitontuntie 7С, P. O. Box 85, FIN-02201 Espoo. Ил. 8. Библ. 3.

ГРНТИ	34.49.31

ВИНИТИ 341.49.31.15
Рубрики: ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
СПЕКТРОМЕТРИЯ
НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ РЕНТГЕНОВСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ

Доп.точки доступа:
Sipila, H.

11.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.04-04А4.151

Luke, P. N.
Low energy X-ray response of Ge detectors with amorphous Ge entrance contacts [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30-Nov. 6, 1993 / P. N. Luke, C. S. Rossington, M. F. Wesela // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4. - P1074-1079 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Чувствительность к низкоэнергетическому рентгеновскому излучению для германиевых детекторов с входными контактами из аморфного Ge
Аннотация: Предложена новая конструкция Ge-полупроводниковых детекторов (ППД) указанного типа, предназначенных для регистрации мягкого рентгеновского излучения с высоким энергетическим разрешением. Показано, что спектр собственного фона ППД м. б. подразделен на 2 компоненты: низкоуровневую, не зависящую от напряжения смещения на ППД, и высокоуровневую, зависящую от него ступенчатым образом. При высоком напряжении смещения последняя из них м. б. полностью подавлена, что обеспечивает получение уровня фона существенно ниже, чем в Ge-ППД с поверхностно-барьерными контактами из Pd или контактами с имплантированными ионами В, а также чем в Si(Li)-ППД. Исследованы др. физико-технические характеристики ППД. США, Eng. Div., Lawrence Berkeley Lab., Univ. of California, Berkeley, CA 94720. Ил. 9. Табл. 1. Библ. 11.

ГРНТИ	34.49.31

ВИНИТИ 341.49.31.15
Рубрики: ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ГЕРМАНИЕВЫЕ
ВХОДНЫЕ КОНТАКТЫ
АМОРФНЫЙ ГЕРМАНИЙ
СПЕКТРОМЕТРИЯ
НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ РЕНТГЕНОВСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ

Доп.точки доступа:
Rossington, C.S.; Wesela, M.F.

12.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.04-04А4.157

Determination of surface recombination velocity and bulk lifetime in detector grade silicon and germanium crystals [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30-Nov. 6, 1993 / N. Derhacobian [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4 Pt 1. - P1026-1030 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Определение скорости поверхностной рекомбинации и общей продолжительности жизни [носителей заряда] в детекторах на основе кристаллов кремния и германия
Аннотация: Разработана установка для бесконтактного определения фотокондукционного распада, предназначенная для измерений общей продолжительности жизни и скорости поверхностной рекомбинации свободных носителей электрического заряда в детекторах указанных типов. Описана технология измерений, не требующая предварительного изготовления каких-либо проб и обеспечивающая неразрушающий контроль этих параметров. Показано, что предложенная ранее простая аналитическая модель для их вычисления имеет ограниченную область применимости, тогда как предложенная методика не имеет таких ограничений. Кроме того, она позволяет установить зависимость деградации эффективной продолжительности жизни от роста нативного оксида на поверхности монокристаллов Si. США, Eng. Div., Lawrence Berkeley Lab., Univ. of California, Berkeley, CA 94720. Ил. 5. Библ. 14.

ГРНТИ	34.49.33

ВИНИТИ 341.49.33.11.13
Рубрики: ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
КРЕМНИЙ
ГЕРМАНИЙ
ГРАДУИРОВАННЫЕ КРИСТАЛЛЫ
ПОВЕРХНОСТНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ

Доп.точки доступа:
Derhacobian, N.; Fine, P.; Walton, J.T.; Wong, Y.K.; Rossington, C.S.; Luke, P.N.

13.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.04-04А4.158

Lithium drifted silicon detector fabrication on gettered floating-zone silicon [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30- Nov. 6, 1993 / J. T. Walton [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4. - P1031-1036 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Изготовление литий-дрейфовых кремниевых детекторов из газоочищенного кремния с "плавающими" зонами
Аннотация: Предложена эффективная процедура газоочистки, основанная на применении активированных фосфором стекол для устранения центров аффинитета к ионам лития с поверхности кристаллов кремния р-типа с "плавающими" энергетическими зонами. С целью ее теоретического обоснования разработана математическая модель, описывающая процесс взаимодействия между вакансиями роста и центрами оксидирования кремния. Однако между предсказаниями модели и зарегистрированными экспериментальными результатами имеет место расхождение. Обсуждаются возможные причины различия расчетных и экспериментальных данных. США, Lawrence Berkeley Lab., Univ. of California, Berkeley, CA 94720. Ил. 6. Библ. 23.

ГРНТИ	34.49.33

ВИНИТИ 341.49.33.11.13
Рубрики: ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
КРЕМНИЕВЫЕ ЛИТИЙ-ДРЕЙФОВЫЕ
"ПЛАВАЮЩИЕ" ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОНЫ
ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ГАЗООЧИСТКИ

Доп.точки доступа:
Walton, J.T.; Wong, Y.K.; Derhacobian, N.; Haller, E.E.

14.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.04-04А4.159

A high rate, low noise, X-ray silicon strip detector system [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30-Nov. 6, 1993 / B. Ludewigt [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4. - P1037-1041 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Многополосный кремниевый детектор тормозного излучения с высоким быстродействием и низким уровнем шума
Аннотация: Описаны принцип действия, конструкция и физико-техческие характеристики позиционно-чувствительного микрополосного кремниевого детектора (Д), предназначенного для регистрации синхротронного излучения ускорителя и обладающего высоким энергетическим разрешением и низким уровнем собственного шума. Рассмотрены особенности передачи выходных сигналов Д на малошумящей зарядочувствительный предусилитель-усилитель на основе единой интегральной схемы. Показано, что оптимальный режим регистрации Д обеспечивается при размерах Д 15 мкм*6 мм с 96 полосками при расстояниях между ними 55 мкм, соединенного с 16-канальным мультиплексором. При охлаждении Д до т-ры -5'ГРАДУС' С энергетическое разрешение составляет 350 эВ FWHM при энергии 5,9 кэВ. Приведены спектры излучения от различных источников фотонов в диапазоне от нескольких кэВ до 'ЭКВИВ'30 МэВ, измеренных с помощью разработанного Д. США, Lawrence Berkeley Lab., Univ. of California, Berkeley, CA 94720. Ил. 7. Библ. 10.

ГРНТИ	34.49.33

ВИНИТИ 341.49.33.11.13
Рубрики: ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
МНОГОПОЛОСНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ
ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ СИНХРОТРОННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМ РЕГИСТРАЦИИ
ОПТИМИЗАЦИЯ

Доп.точки доступа:
Ludewigt, B.; Jaklevic, J.; Kipnis, I.; Rossington, C.; Spieler, H.

15.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.04-04А4.176

Response of silicon detector for high energy X-ray computed tomography [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS - MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30 - Nov. 6, 1993 / H. Miyai [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4. - P999-1003 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Чувствительность кремниевых детекторов для компьютерной томографии [на основе] высокоэнергетического тормозного излучения
Аннотация: Проведены расчетно-экспериментальные исследования возможности применения кремниевых детекторов (КД) для КТ на пучке высокоэнергетического тормозного излучения от линейного ускорителя электронов вместо традиционно используемых для той же цели сцинтилляционных детекторов (СД) типа CWO или BGO. Методом Монте-Карло по программе EGS4 рассчитаны функции чувствительности СД типа CWO (CdWO[4]) и монокристаллических полупроводниковых КД одних и тех же размеров. Показано, что при энергиях излучения 1 МэВ чувствительность КД в'ЭКВИВ'10 раз выше, чем у СД. Для узких пучков тормозного излучения (0,2 мм диам.) вместо гомогенных КД предложено использовать комбинацию вольфрам+КД. Измерены электронные шумы обычного и модифицированного КД, обусловленные собственной емкостью КД и током утечки. Япония, Energy Res. Lab., Hitachi, Ltd., 7-2-1, Omika-cho, Hitachi-shi, Ibaraki-ken 319-12. Ил. 10. Библ. 5.

ГРНТИ	34.49.33

ВИНИТИ 341.49.33.15.02
Рубрики: КТ
ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ ТОРМОЗНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
КРЕМНИЕВЫЕ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ
ФУНКЦИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
МОНТЕ-КАРЛО-МОДЕЛИРОВАНИЕ

Доп.точки доступа:
Miyai, H.; Kawasaki, S.; Kitaguchi, H.; Izumi, S.

16.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.05-04А4.158

Husson, D.
Capacitance modelling for double-sided Si detectors with double-metal readout [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30-Nov. 6, 1993 / D. Husson // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4. - P811-816 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Моделирование емкости двусторонних кремниевых детекторов с биметаллическими [платами] считывания
Аннотация: Разработана математическая модель для вычисления собственной емкости полосовых детекторов (ПД) всех известных типов, в т. ч. и с биметаллическими платами считывания. Модель хорошо описывает все известные в этой области экспериментальные данные, особенно для ПД с толстым слоем межметаллической изоляции, а также позволяет оптимизировать параметры геометрии ПД по критерию минимума шума. Модель основана на представлении всей структуры ПД в виде 3-мерной решетки, параметры к-рой вычисляются либо по аналитической формуле, описывающей электростатическое поле кристаллической решетки, либо путем собственно моделирования процессов в переходных зонах ПД. Франция, LEPSI-CRN, 23 rue du Loess BP20 67037, Strasbourg Cedex. Ил. 11. Табл. 1. Библ. 16.

ГРНТИ	34.49.29

ВИНИТИ 341.49.29.05.17
Рубрики: ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
МИКРОПОЛОСНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ
ПЛАТЫ СЧИТЫВАНИЯ
БИМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ
СОБСТВЕННАЯ ЕМКОСТЬ
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

17.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.05-04А4.159

Nagarkar, V.
Flight prototype of a solid state neutron dosimeter for space applications [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30-Nov. 6, 1993 / V. Nagarkar, G. Entine, P. Stoppel // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4. - P1333-1337 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Опытный образец бортового твердотельного дозиметра нейтронов для использования в космическом пространстве
Аннотация: При разработке нейтронных дозиметров указанного назначения необходимо принимать меры по снижению их чувствительности к первичным протонам космического излучения. Для решения этой проблемы разработан опытный образец бортового дозиметра вторичных быстрых нейтронов (140 кэВ) с полупроводниковым детектором на основе кремниевого диода со структурой p-i-n, обладающим низкой чувствительностью к протонам. Описаны физико-технические характеристики дозиметра и особенности его дозовой калибровки. Диапазон измеряемых доз - от 50 мкГр до нескольких десятков мГр, погрешность измерений '+-'17,5 мкГр. США, Radiat. Monitoring Devices, Inc., 44 Hunt Str., Watertown, MA 02172. Ил. 4. Библ. 5.

ГРНТИ	34.49.29

ВИНИТИ 341.49.29.05.17
Рубрики: ДОЗИМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
НЕЙТРОНЫ
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
КОСМИЧЕСКИЕ ПОЛЕТЫ
БОРТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Доп.точки доступа:
Entine, G.; Stoppel, P.

18.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.05-04А4.160

Use of Ukrainian semiconductor dosimeters in a CERN particle accelerator field [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30-Nov. 6, 1993 / A. Rosenfeld [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4 Pt 1. - P1009-1013 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Использование украинских полупроводниковых дозиметров в [радиационном] поле ускорителя частиц CERN
Аннотация: Описаны физико-технические характеристики и основные результаты раздельных измерений дозы 'гамма'-излучения и флюенса быстрых нейтронов в рабочих помещениях установки для облучения различных объектов на базе ускорителя антипротонов ЦЕРНа с энергией 26 ГэВ. Измерения проводились с помощью дозиметра смешанного излучения на основе полупроводникового p-i-n-диода и металлоксидного (MOS) детектора. Основным достоинством устройства является возможность регистрации высоких доз импульсного излучения - до 'ЭКВИВ'3*10{5} Гр/с. Рассмотрены особенности калибровки дозиметра на пучках 'гамма'-излучения {6}{0}Co (детектор MOS) и нейтронов реактора со средней энергией 1 МэВ (диоды). Обсуждается методика повторного использования p-i-n-диодов после облучения и "отжига" при комнатной т-ре. Украина, Ин-т ядерных исследований, Киев 252028. Ил. 7. Библ. 16.

ГРНТИ	34.49.29

ВИНИТИ 341.49.29.05.19
Рубрики: ДОЗИМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ УСКОРИТЕЛИ
СМЕШАННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
НЕЙТРОНЫ
ФОТОНЫ

Доп.точки доступа:
Rosenfeld, A.; Khivrich, V.; Kuts, V.; Tavlet, M.; Malfante, L.; Munoz-Ferrada, C.

19.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.05-04А4.189

High spatial resolution silicon read-out system for single photon X-ray detection [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30 - Nov. 6, 1993 / R. Turchetta [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4. - P1063-1068 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Система считывания для кремниевых [детекторов] высокого пространственного разрешения для однофотонного детектирования рентгеновского излучения
Аннотация: Описаны принцип действия, конструкция и физико-технические характеристики позиционно-чувствительного микрополосового кремниевого детектора с высоким пространственным и энергетическим разрешением. Система считывания обеспечивает одновременную регистрацию счета импульсов по 16 каналам, в каждом из к-рых сигналы проходят через низкошумящий предусилитель, емкостно-резисторный формирователь импульсов с постоянной времени 1500 нс и амплитудный селектор. Свойство само-триггерной р-ции кремниевого типа обеспечивает эффективное однофотонное детектирование рентгеновского излучения. Показано, что пространственное разрешение составляет несколько десятков мкм в зависимости от величины отношения сигнал/шум. Обсуждаются специфические особенности энергетической калибровки детектора. Франция, LEPSI, Strasbourg. Ил. 12. Табл. 2. Библ. 14.

ГРНТИ	34.49.33

ВИНИТИ 341.49.33.11.13
Рубрики: ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
МНОГОПОЛОСНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ
ПОЗИЦИОННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ
СИСТЕМА СЧИТЫВАНИЯ
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ФОТОНЫ

Доп.точки доступа:
Turchetta, R.; Anstotz, F.; Hu, Y.; Nygard, E.; Weilhammer, P.

20.

РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 95.05-04А4.190

New ideas for two dimensional position sensitive silicon drift detectors [Text] : pap. Nucl. Sci. Symp. and Med. Imag. Conf. (NSS-MIC'93), San Francisco, Calif., Oct. 30 - Nov. 6, 1993 / E. A. Hijzen [et al.] // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1994. - Vol. 41, N 4. - P1058-1062 . - ISSN 0018-9499
Перевод заглавия: Новые идеи для двумерных позиционночувствительных дрейфовых кремниевых детекторов
Аннотация: Предложены и обсуждаются 2 идеи для модификации кремниевых детекторов (КД), полученных путем дрейфа ионов и обладающих позиционной чувствительностью. 1-я из них состоит в минимизации влияния эффекта диффузии носителей заряда в направлении, перпендикулярном их дрейфу, а 2-я - в разработке дрейфового КД нового типа, в к-ром измеряются времена дрейфа по обоим координатам плоскости КД. Описаны принцип действия, конструкция и физико-технические характеристики такого многополосного дрейфового КД, в к-ром были реализованы обе идеи. Показано, что при измерении этих характеристик с помощью импульсного лазера с длиной волны 675 нм пространственное разрешение КД составило 50 мкм FWHM, временное - 50 нс, а энергетическое - сравнимое с кольцевыми КД благодаря малым размерам анода. Нидерланды, Delft Univ. of Technol. Ил. 10. Библ. 8.

ГРНТИ	34.49.33

ВИНИТИ 341.49.33.11.13
Рубрики: ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
КРЕМНИЕВЫЕ ДРЕЙФОВЫЕ МНОГОПОЛОСНЫЕ
ПОЗИЦИОННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ

Доп.точки доступа:
Hijzen, E.A.; Schooneveld, E.M.; van, Eijk C.W.E.; Hollander, R.W.; Sarro, P.M.; van, den Bogaard A.

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

"Электронные каталоги и базы данных библиотек СО РАН"

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)

rtvarBDview(" результаты поиска","20190607010228","4682442");

Вид поиска