Главная Назад


Авторизация
Идентификатор пользователя / читателя
Пароль (для удалённых пользователей)
 

Вид поиска

Область поиска
Найдено в других БД
Формат представления найденных документов:
библиографическое описаниекраткий полный
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>S=ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8
1.

Вид документа : Статья из журнала
РЖ ВИНИТИ 34 (BI38) 03.07-04А3.511

Автор(ы) : Kim, Joo-Han, Kanicki, Jerzy
Заглавие : Advanced amorphous silicon thin film transistor active-matrix organic light-emitting displays design for medical imaging : Докл. [SPIE Conference on "Medical Imaging 2001: Visualization, Display, and Image-Guided Procedures", San Diego, Calif., 18-20 Febr., 2001]
Источник статьи : Proc. SPIE. - 2001. - Vol. 4319. - С. 306-318
Аннотация: Разрабатываются органические, с активной матрицей, светодиодные дисплеи (АМО-СИДД), работающие на постоянном токе, в которых используются цепи электродов, создающих элементы изображения (ЭЭИ), на усовершенствованных тонкопленочных (гидрогенизированный аморфный кремний) транзисторах (a-Si:H ТПТ). При использовании таких цепей можно обеспечивать постоянное возбуждение ЭЭИ, при использовании технологии a-Si:H ТПТ можно достигать уровней токов возбуждения ЭЭИ до 1,4 мкА. Даже при небольшом напряжении прямой связи (1 мВ), которое может обеспечиваться при использовании данной цепи, все же достигается контролируемость уровня серого, необходимого для медицинской визуализации. Каждому ЭЭИ придана цепь компенсации порогового напряжения, обеспечивающая регулирование тока возбуждения ЭЭИ. Для 16-дюймового полноцветного АМО-СИДД типа VGA с площадью ЭЭИ примерно 60*115 мкм{2} уровень выходного тока эквивалентен плотности тока элемента изображения 20 мА/см{2}. Принимая, что органический СИД характеризуется внешним квантовым выходом 1%, яркость АМО-СИДД при использовании цепей с ЭЭИ составит 88, 960 и 160 кд/м{2} для красного (650 нм), зеленого (540 нм) и синего (480 нм) света. США, The Univ. of Michigan, Ann Arbor, MI, 48109. Ил. 10. Табл. 2. Библ. 19
ГРНТИ : 34.57.15
Предметные рубрики: АППАРАТУРА
СВЕТОДИОДНЫЙ ДИСПЛЕЙ
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
БИОМАТЕРИАЛЫ
МЕДИЦИНСКИЕ ИЗОБРАЖЕНИЯ
ПОЛУЧЕНИЕ
Дата ввода:

2.

Вид документа : Статья из журнала
РЖ ВИНИТИ 34 (BI36) 11.06-04А4.131

Автор(ы) : Safavian, Nader, Yazdandoost M., Wu D., Sultana A., Izadi M.H., Karim K.S., Nathan A., Rowlands J.A.
Заглавие : Characterization of current programmed amorphous silicon active pixel sensor readout circuit for dual mode diagnostic digital X-ray imaging : Докл. [SPIE Medical Imaging Conference "Physics of Medical Imaging", Lake Buena Vista, Fla, 9-12 Febr., 2009]
Источник статьи : Proc. SPIE. - 2009. - Vol. 7258. - С. 725815/1-725815/9
Аннотация: Два режима реализуются за счет особой структуры пиксела: каждый из них включает внешний конденсатор, который выборочно соединен с емкостным сопротивлением пиксела. Разработанное считывающее устрoйство смонтировано на основе тонкопленочного транзистора. Рeзультаты исследования характеристик разработанного устройства указывают на возможность двухрежимной визуализации. Таким образом, существует возможность компенсации долгосрочной релаксации электрического и теплового сдвигов порогового напряжения тонкопленочного транзистора на аморфном кремнии. Канада, Electrical & Computer Eng., Univ. of Weterloo, Waterloo, ON, N2L 3G1. Библ. 14
ГРНТИ : 34.49.33
Предметные рубрики: ДЕТЕКТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
МАТРИЧНЫЕ ПОЗИЦИОННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ
АМОРФНЫЙ КРЕМНИЙ
ПРОГРАММИРУЕМЫЙ ТОКОВЫЙ ВЫХОД
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
ЦИФРОВАЯ РЕНТГЕНОГРАФИЯ
Дата ввода:

3.

Вид документа : Однотомное издание
Патент 7012260 Соединенные Штаты Америки, МКИ G01T 1/24.

Автор(ы) : Endo, Tadao
Заглавие : Radiation image pick-up device and radiation image pick-up method .-
Выходные данные : Б.м.,Б.г.
Коллективы : Canon K.K.
4.

Вид документа : Однотомное издание
Патент 7012260 Соединенные Штаты Америки, МКИ G01T 1/24.

Автор(ы) : Endo, Tadao
Заглавие : Radiation image pick-up device and radiation image pick-up method .-
Выходные данные : Б.м.,Б.г.
Коллективы : Canon K.K.
5.

Вид документа : Однотомное издание
Патент 6909099 Соединенные Штаты Америки, МКИ G01T 1/24.

Автор(ы) : Choo, Kyo-Seop, Park, June-Ho, You, Myung Ho
Заглавие : X-ray detector and method of fabricating therefore .-
Выходные данные : Б.м.,Б.г.
Коллективы : L.G. Philips LCD Co., Ltd.
6.

Вид документа : Однотомное издание
Патент 5331179 Соединенные Штаты Америки, МКИ G01N 23/04.

Автор(ы) : Lee Denny L.Y., Jeromin Lothar S.
Заглавие : Method and apparatus for acquiring an X-ray image using a thin film transistor array .-
Выходные данные : Б.м.,Б.г.
Коллективы : E.I. Du Pont de Nemours and Co.
7.

Вид документа : Однотомное издание
Патент 5331179 Соединенные Штаты Америки, МКИ G01N 23/04.

Автор(ы) : Lee Denny L.Y., Jeromin Lothar S.
Заглавие : Method and apparatus for acquiring an X-ray image using a thin film transistor array .-
Выходные данные : Б.м.,Б.г.
Коллективы : E.I. Du Pont de Nemours and Co.
8.

Вид документа : Однотомное издание
Патент 6909099 Соединенные Штаты Америки, МКИ G01T 1/24.

Автор(ы) : Choo, Kyo-Seop, Park, June-Ho, You, Myung Ho
Заглавие : X-ray detector and method of fabricating therefore .-
Выходные данные : Б.м.,Б.г.
Коллективы : L.G. Philips LCD Co., Ltd.
 




© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)